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不断变化的医疗电磁环境的影响评估
项目介绍
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工作背景
无线通信几乎渗透到我们日常生活的方方面面。无论我们是在跑步时播放流媒体音乐、在智能手机上查看最新新闻，还是通过物联网设备监控家庭安全，无线技术都能提供最大移动性的连接。目前的 5G 无线技术使用的频段高达 71 千兆赫，进一步扩展需要利用更高的频率（如 200 千兆赫以上）。因此，需要一种新的信号处理半导体技术。其中一个关键挑战是制造能在 200-300 GHz 频段工作的高增益、低噪声放大器。
研究目标
由于晶格匹配的 InGaAs 材料具有出色的电子传输特性，世界上最好的低噪声放大器都是采用基于 InP 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 制造的。要在如此高的频率下工作，需要精确的外延控制、超精细的亚 100 nm 栅极长度和积极的介电厚度扩展。目前，这些要求对该技术的大规模应用构成了挑战，因为通常需要 EBL。在 TU/e，我们的目标是利用最先进的大规模制造技术解决这一问题。第一步包括利用我们内部的 ASML DUV 扫描仪实现高可制造性的基本步骤。第二阶段将是探索持续扩展的途径，包括采用高介电系数和先进器件结构的 MOS-HEMT 。在这个项目中，您将处于未来无线领域新型革命性半导体技术开发的核心位置。该项目涉及高频器件的整个价值链–从外延到模拟、制造和表征。
该项目是恩智浦与埃因霍温工业大学集成电路小组合作项目的一部分，名为 “未来无线接口（FWITEC）”。该项目旨在超越 5G 通信技术，重点关注使用无线互连取代物理链路的应用。它们包括芯片间和芯片组内的短距离通信、封装内通信以及内部/生产线视距（